液體冷卻器 

 

LC-200W●液體冷卻器，最高可使用 200W，用于連接現有散熱器或大型金屬外殼，90 x 60 x 42 mm³ 

 

LC-1500W●液體冷卻器，最高可使用 1500W，用于連接現有散熱器或大型金屬外殼，250 x 144 x 50 mm³

 

擇： 高壓和脈沖電源應用總是意味著存在一定的火花和閃絡風險，尤其是在環境條件、操作條件或負載條件發生意外變化的情況下。因此，固態開關的峰值電流能力應始終盡可能高，至少要高于應用可能出現的短路電流。關于額定電壓的選擇，我們建議 MOSFET 開關的安全裕度至少為 5%，所有雙極開關（IGBT、MCT、SCR）的安全裕度至少為 20%，以最大程度地降低因意外電壓波動或意外反激電壓造成損壞的風險. 長期可靠性分別為 高壓固態開關的平均故障間隔時間 (MTBF) 始終是其工作溫度的函數。因此，我們強烈建議盡可能僅在中等溫度下操作開關。這主要通過選擇足夠的導通電阻、電流容量、自然電容和耦合電容來實現。請參考我們的 電阻性和電容性功率損耗計算的一般說明。如果計算出的功耗超過 開關的 P d(max)額定值，則必須添加適當的冷卻選項。請注意，個人 P d(max) 額定值始終參考 25°C 的外殼溫度。這種實驗室測試條件在實踐中當然沒有給出。設計人員還必須考慮增加的環境溫度以及運行中的實際外殼溫度。因此，許多應用需要特殊的冷卻措施。BEHLKE 為各種情況提供廣泛的冷卻選項。設計人員可以在陶瓷冷卻表面、散熱片、冷卻法蘭和使用水或電介質冷卻劑的液體冷卻之間進行選擇。請參閱數據表和以下產品調查了解更多信息。 技術支持： 為了排除任何技術上的誤解，為了客戶的利益，我們不提供任何口頭咨詢或電話技術支持，除非是不可避免的緊急情況。第一次咨詢時，請仔細填寫我們的問卷或在單獨的表格中盡可能準確地描述您的申請，然后通過電子郵件將其發送給 BEHLKE  或傳真。我們向您保證，您的所有技術信息都將嚴格保密。提交的保密協議 (NDA) 將在一個工作日內進行合法驗證和簽署。任何合格的售后支持都需要有關您的應用程序的完整信息集。這包括繪制或草繪的電路圖、時序圖、測量值和示波器屏幕截圖，以及有關實際工作條件（電壓、電流、頻率、脈沖寬度、占空比、轉換時間、工作溫度等）的可靠信息。 . 實驗設置的附加圖片有助于更高效、更快速地分析和排除應用程序故障。由于我們的支持和開發部門的高產能利用率，

 

另請注意，BEHLKE 是一家真正的零部件制造商。我們為我們的產品提供免費支持，但除非我們明確訂購，否則我們不會開發應用程序。我們也不對我們產品在客戶應用中的功能承擔任何責任或保證。感謝您的理解。

 

 

 

晶閘管 / 晶閘管 / 可控硅 固定準時 可變接通時間 VAR。推拉 高壓脈沖發生器 高壓二極管 高壓 液體冷卻 高壓元件

 

  開關，電流取決于導通時間，可控硅晶閘管。 千安應用，充電和放電，撬棍。

  開關，固定導通時間，標準，MOSFET。一般脈沖應用、充電和放電、脈沖電場。

  開關，固定導通時間， 高 di/dt，MOSFET。大電流、高頻、卓越的突發能力、快速充放電。

  開關，固定導通時間，超快， MOSFET 。大電流、高di/dt 、中低頻、超快充放電。

  開關，固定導通時間，低導通電阻，溝槽 FET。  大電流，中速充放電。

  開關，可變導通時間，標準，MOSFET。 一般脈沖和開關應用，快速上升時間，高頻。

  開關，可變導通時間，高 di/dt，MOSFET。 ^ hIGH在中等頻率的電流，快速上升時間。

  開關，可變導通時間，低電容，MOSFET。 低耦合電容。LC2 拓撲結構具有出色的瞬態抗擾度。

  開關，可變導通時間，低導通電阻，碳化硅 FET 和溝槽 FET。 高電流、低導通損耗

  開關，可變導通時間，交流 MOSFET。pos的雙向開關。＆否定。電壓無極變化。交流高達 5 MHz。

  開關，可變導通時間，IGBT。中等頻率下的高 di/dt 和電流能力。真正的通斷開關。

  開關，可變導通時間，MCT 晶閘管。 中等頻率下的高 di/dt 和電流能力。真正的通斷開關。

  開關，可變導通時間，推挽，MOSFET。半橋配置中的兩個開關路徑。真正的方波脈沖。

  開關，可變導通時間，交流推挽，MOSFET。無極性變化的正負電壓半橋。

   高壓脈沖發生器單元。實驗室脈沖發生器單元、特殊用途的 OEM 脈沖發生器單元、普克爾斯電池驅動器。

  FDA，快速恢復高壓二極管組件。快速續流二極管和網絡。

  DLC，用于高壓電子設備的直接液體冷卻。泵組、散熱器、熱交換器、冷卻劑等。

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